SI2301CDS-T1-GE3    分立半導體產(chǎn)品  晶體管  FET  MOSFET  單 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  無鉛環(huán)保  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 3.1 A

Rds On-漏源導通電阻: 112 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV

Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V

Qg-柵極電荷: 10 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.6 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: TrenchFET

系列: SI2  

晶體管類型: 1 P-Channel  

商標: Vishay / Siliconix  

正向跨導 - 最小值: 9.5 S  

下降時間: 10 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 35 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 30 ns  

典型接通延遲時間: 11 ns  

零件號別名: SI2301CDS-GE3  

單位重量: 8 mg  

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