本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：IGBT晶體管 RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 封裝/箱體：TO-247-3 安裝風(fēng)格：通孔 配置：?jiǎn)?集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO：600 V 集電極—射極飽和電壓：2.3 V 正極/發(fā)射極最大電壓：20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流：55 A IGBT晶體管Pd-功率耗散：200 W IGBT晶體管最小工作溫度：-55 C 封裝：Tube 高度：20.7毫米 長(zhǎng)度：15.87毫米 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：IGBT晶體管 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：IGBT 零件號(hào)別名：IRG4PC50WPBF SP001537164 單位重量：38 g 特征 •專為開(kāi)關(guān)模式電源和PFC（功率因數(shù)校正）應(yīng)用而設(shè)計(jì) •行業(yè)基準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)損耗可提高所有電源拓?fù)涞男?•Eoff參數(shù)減少50％ •IGBT導(dǎo)通損耗低 •最新一代的IGBT設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)提供更緊密的參數(shù)分布，出色的可靠性 •無(wú)鉛 好處 •與高達(dá)150 kHz的功率MOSFET（“硬開(kāi)關(guān)”模式）相比，更低的開(kāi)關(guān)損耗可提供更具成本效益的操作 •對(duì)單端轉(zhuǎn)換器和提升150W及更高功率的PFC拓?fù)涮貏e有用 •低的傳導(dǎo)損耗和最小的少數(shù)載流子重組使其成為諧振模式切換（高達(dá)> 300 kHz）的絕佳選擇 絕對(duì)最大額定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 55 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 27 ICM Pulsed Collector Current CD 220 ILM Clamped Inductive Load Current 0 220 VGE Gate-to-Emitter Voltage 士 20 V EARV Reverse Voltage Avalanche Energy ® 170 mJ PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 200 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 78 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (0.063 in. (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 screw. 10 lbf•in (1.1N•m)