本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術：Si 安裝風格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：40 V Id-連續(xù)直流電流：202 A Rds上漏源導通電阻：4毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：160 nC Pd-功率耗散：333 W 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標：Infineon Technologies 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF1404PBF SP001561374 單位重量：6 g 特征 •先進的工藝技術 •超低導通電阻 •動態(tài)dv / dt評級 •175°C工作溫度 •快速切換 •完全雪崩等級 •無鉛 描述 來自國際整流器公司的第七代HEXFET®功率MOSFET 利用先進的處理技術，使每個硅面積的導通電阻極低。 這項優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關 速度和堅固耐用的器件設計相結合，為設計人員提供 了一種極其有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應用中。 TO-220封裝普遍適用于所有功耗約為50瓦的商業(yè)工業(yè) 應用。 TO-220的低熱阻和低封裝成本有助于其在整個 行業(yè)中的廣泛接受。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 202® A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 143® IDM Pulsed Drain Current CD 808 PD @TC = 25°C Power Dissipation 333 W Linear Derating Factor 2.2 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy0 620 mJ IAR Avalanche Current See Fig.12a, 12b, 15, 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy<v mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt CT 1.5 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m)