本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。

制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：詳細(xì)信息
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：通孔
封裝/箱體：TO-220-3
晶體管極性：N溝道
通道數(shù)量：1個(gè)頻道
Vds-漏源極擊穿電壓：200 V
Id-連續(xù)直流電流：18 A
Rds上漏源導(dǎo)通電阻：150毫歐
Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V
Qg-血漿甲醛：44.7 nC
最小工作溫度：-55 C
最大工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：150 W
通道模式：增強(qiáng)
封裝：Tube
配置：?jiǎn)?br /> 高度：15.65毫米
長(zhǎng)度：10毫米
晶體管類型：1 N溝道
寬度：4.4毫米
商標(biāo)：Infineon Technologies
正向跨導(dǎo)-加速度：6.8 S
下降時(shí)間：5.5 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時(shí)間：19 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
子類別：MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：23 ns
典型起始延遲時(shí)間：10 ns
零件號(hào)別名：IRF640NPBF SP001570078
單位重量：6 g
特征

•先進(jìn)的工藝技術(shù)
•動(dòng)態(tài)dv / dt評(píng)級(jí)
•175°C工作溫度
•快速切換
•完全雪崩等級(jí)
•輕松并行
•簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)器要求
•無(wú)鉛
描述
國(guó)際整流器公司的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先進(jìn)的處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了每硅面積極低的導(dǎo)通電阻。這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開(kāi)關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了一種極其有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。
TO-220封裝普遍適用于所有功耗約為50瓦的商業(yè)工業(yè)應(yīng)用。 TO-220的低熱阻和低封裝成本有助于其在整個(gè)行業(yè)中的廣泛接受。
D2Pak是一種表面安裝電源封裝，能夠容納高達(dá)HEX-4的裸片尺寸。在現(xiàn)有的任何表面貼裝封裝中，它都具有最高的功率能力和最低的導(dǎo)通電阻。 D2Pak的內(nèi)部連接電阻低，因此適合大電流應(yīng)用，在典型的表面安裝應(yīng)用中，其耗散功率高達(dá)2.0W。
通孔版本（IRF640NL）可用于薄型應(yīng)用。