IRFZ48NPBF MOSFET -進口原裝現(xiàn)貨
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IRFZ48NPBF-MOSFET--進口原裝現(xiàn)貨

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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 IRFZ48NPBF
品牌 IR
封裝 TO-220
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 直插式
包裝方式 卷帶編帶包裝
數(shù)量 20000
商品介紹
本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS:詳細信息 技術:Si 安裝風格:通孔 封裝/箱體:TO-220-3 晶體管極性:N溝道 通道數(shù)量:1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓:55 V Id-連續(xù)直流電流:64 A Rds上漏源導通電阻:14毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓:20 V Qg-血漿甲醛:54 nC Pd-功率耗散:94 W 封裝:Tube 配置:單 高度:15.65毫米 長度:10毫米 晶體管類型:1 N溝道 寬度:4.4毫米 商標:Infineon Technologies 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFET 零件號別名:IRFZ48NPBF SP001552474 單位重量:6 g 特征 •先進的工藝技術 •超低導通電阻 •動態(tài)dv / dt評級 •175°C工作溫度 •快速切換 •完全雪崩等級 •無鉛 描述 國際整流器公司(International Rectifier)的高級HEXFET®功率 MOSFET利用先進的處理技術來實現(xiàn)每硅面積的極低導通電阻。 這項優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關速度和 堅固耐用的器件設計相結合,為設計人員提供了一種極其有效 和可靠的器件,可廣泛用于各種應用中。 TO-220封裝普遍適用于所有功耗約為50瓦的商業(yè) 工業(yè)應用。 TO-220的低熱阻和低封裝成本有助于 其在整個行業(yè)中的廣泛接受。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 64 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 45 IDM Pulsed Drain Current CD 210 PD @TC = 25°C Power Dissipation 130 W Linear Derating Factor 0.83 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V IAR Avalanche CurrentCD 32 A EAR Repetitive Avalanche EnergyCD 13 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt Gl 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m)
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市凱斯宇科技有限公司
聯(lián)系賣家 廖巧仙 (QQ:956867351)
電話 尋尉尅尅-專將尃尋将尅専尊
手機 専將将專尃将尊尃將尃射
傳真 尋尉尅尅-尃專專尊尃專専専
網(wǎng)址 http://www.szksykj.com/
地址 廣東省深圳市