規(guī)格書：AOD484

FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 25A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 15 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 21nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1220pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），50W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

                                   深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

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