規(guī)格 AO4419

FET類型P溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（VDSS）30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）9.7A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs時(shí)的Rds On（最大值）20毫歐@ 9.7A，10V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）2.7V @250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）32nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1900pF @ 15V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝8-SOIC

封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）

一般說明

AO4419結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET

技術(shù)采用低阻抗封裝提供

極低的RDS（ON）。該器件非常適合負(fù)載開關(guān)

和電池保護(hù)應(yīng)用。

產(chǎn)品摘要

AO4419

VDS -30V

ID（VGS = -10V）-9.7A

RDS（ON）（VGS = -10V）<20mΩ

RDS（ON）（VGS = -4.5V）<35mΩ

100％UIS經(jīng)過測(cè)試

100％Rg測(cè)試

AO4419

A.使用安裝在1in2上的設(shè)備測(cè)量RθJA的值

FR-4板，2盎司。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)點(diǎn)到環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2上的器件測(cè)量的

FR-4板用

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖ratin g。

AO4419