規(guī)格 AO8810

FET類(lèi)型2 N溝道（雙）共漏

FET功能邏輯電平門(mén)

漏源電壓（VDSS）20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）7A

不同Id，Vgs時(shí)的Rds On（最大值）20毫歐@ 7A，4.5V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）1.1V @250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）14nC @ 4.5V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1295pF @ 10V

功率 - 最大值1.5W

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類(lèi)型表面貼裝

封裝/外殼8-TSSOP（0.173“，4.40mm寬）

一般說(shuō)明

AO8810采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供

出色的RDS（ON），低柵極電荷。它受到ESD保護(hù)。

該器件適合用作單向或雙向

負(fù)載開(kāi)關(guān)，由其共漏極促進(jìn)

組態(tài)。

產(chǎn)品摘要

AO8810

VDS 20V

ID（VGS = 4.5V）7A

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<20mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.0V）<20.5mΩ

RDS（ON）（VGS = 3.1V）<21.5mΩ

RDS（ON）（VGS = 2.5V）<23mΩ

RDS（ON）（VGS = 1.8V）<28mΩ

ESD保護(hù)

AO8810

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測(cè)量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶(hù)的特定電路板設(shè)計(jì)。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來(lái)保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)至環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過(guò)安裝在1in2 FR-4板上的器件測(cè)得的。

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。