詳細(xì)說明（以下型號信息僅供參考，詳細(xì)請聯(lián)系我司銷售代表）

H5TQ4G83DFR-RDC SKhynix（海力士）DDR3存儲芯片 原廠原裝

生產(chǎn)商：SKhynix（海力士）

產(chǎn)品類別：集成電路-存儲器

系列：-

存儲格式：DRAM

存儲技術(shù)：SDRAM-DDR3

存儲容量：4Gb

存儲接口：并聯(lián)

SPEED(速度)：-

時鐘頻率：533MHz

寫入時間：-

訪問時間：-

電壓-電源：1.425V~1.575V

工作溫度：0°C ~ 95°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-78

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：SKhynix（海力士）的DDR3存儲芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器，智能電視，視頻監(jiān)控，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒，通信設(shè)備，平板電腦等消費類以及工業(yè)類電子設(shè)備，是全球第二大DRAM產(chǎn)品供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含SKhynix（海力士）的DRAM,NAND閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。

DDR3

DDR3內(nèi)存采用了ODT（核心整合終結(jié)器）技術(shù)以及用于優(yōu)化性能的EMRS技術(shù)，同時也允許輸入時鐘異步。在針腳定義方面，DDR3表現(xiàn)出很強(qiáng)的獨立性，甚至敢于徹底拋棄TSOPII與mBGA封裝形式，采用更為先進(jìn)的FBGA封裝。DDR III內(nèi)存用了0.08微米制造工藝制造，將工作在1.5V的電壓下在DDR3系統(tǒng)中，對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。

價格說明

我司在愛采購商鋪展示的價格為指導(dǎo)價格或該商品曾經(jīng)展示的銷售價格，非原價，僅供參考。具體售價以公司銷售代表確認(rèn)的價格為準(zhǔn)。

購買說明

客戶訂購產(chǎn)品之前請聯(lián)系我司銷售代表確認(rèn)產(chǎn)品的庫存數(shù)量，庫存位置，訂貨周期等相關(guān)信息。確認(rèn)信息之后由我司銷售代表通過公司系統(tǒng)生成訂單，交由客戶最后確認(rèn)簽字后生成正式訂單。