概述

該產(chǎn)品采用H 橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動(dòng)線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成N 溝道和P 溝道功率MOSFET，工作電壓范圍覆蓋2V 到8V。27℃，VCC=5V 條件下最大持續(xù)輸出電流達(dá)到1A，最大峰值輸出電流達(dá)到1.5A。該單路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻，電路的發(fā)熱與負(fù)載電流、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設(shè)計(jì)有芯片級(jí)溫度檢測(cè)電路，實(shí)時(shí)監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過(guò)設(shè)定值時(shí)(典型值150℃)，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號(hào)，關(guān)閉負(fù)載電流，避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高，進(jìn)而造

成塑料封裝冒煙、起火等嚴(yán)重安全事故。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路，確保電路恢復(fù)到安全溫度后，才允許重新對(duì)功率管進(jìn)行控制。

特性

低待機(jī)電流 (小于0.1uA)

?8?5 低導(dǎo)通內(nèi)阻MOSFET 功率開關(guān)管

— 采用MOS 工藝設(shè)計(jì)功率管

— 800 毫安通道功率管內(nèi)阻0.43 歐姆

— 200 毫安通道功率管內(nèi)阻0.36 歐姆

?8?5 內(nèi)部集成續(xù)流二極管

— 無(wú)需外接續(xù)流二極管

?8?5 超小型封裝尺寸

— 采用SOT23-6 封裝

— 含引腳外形尺寸2.92mm*2.8mm

?8?5 較小的輸入電流

— 集成約7K 對(duì)地下拉電阻

?8?5 內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過(guò)熱保護(hù)電路 (TSD)

?8?5 抗靜電等級(jí)：3KV (HBM)

— 3V 驅(qū)動(dòng)信號(hào)平均420uA 輸入電流

應(yīng)用范圍

. IR-CUT 驅(qū)動(dòng)

. 電動(dòng)玩具

. 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)