本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-252-3 晶體管極性：P-Channel 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：55 V Id-連續(xù)直流電流：31 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：65毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：42 nC 最小工作溫度：-55 C Pd-功率耗散：110 W 通道模式：增強(qiáng) 資質(zhì)：AEC-Q101 封裝：Tube 配置：?jiǎn)?高度：2.3毫米 長(zhǎng)度：6.5毫米 晶體管類型：1 P通道 寬度：6.22毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 下降時(shí)間：63 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：66 ns 工廠包裝數(shù)量：3000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：39 ns 典型起始延遲時(shí)間：14 ns 零件號(hào)別名：AUIRFR5305 SP001517358 單位重量：4 g 特征 先進(jìn)的平面技術(shù) 導(dǎo)通電阻低 動(dòng)態(tài)dv / dt額定值 175°C工作溫度 快速切換 完全雪崩等級(jí) 重復(fù)雪崩允許最大Tjmax 無鉛，符合RoHS 汽車合格* 描述 HEXFET®功率MOSFET的這種蜂窩平面設(shè)計(jì)是 專門為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，它利用最新的處理 技術(shù)來實(shí)現(xiàn)每硅面積的低導(dǎo)通電阻。 這種優(yōu)勢(shì) 與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān) 速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員 提供了一種非常有效和可靠的器件，可用于汽車和其他各種應(yīng)用。 最大絕對(duì)額定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -31 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -22 IDM Pulsed Drain Current † -110 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 110 W Linear Derating Factor 0.71 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚† 280 mJ IAR Avalanche Current † -16 A EAR Repetitive Avalanche Energy  11 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dtƒ† -5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300