FDS6993 FDS6993

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V, 12 V

Id-連續(xù)漏極電流: 4.3 A, 6.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 55 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V, 8 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

晶體管類型: 2 P-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

下降時間: 9 ns, 121 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 14 ns, 20 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 14 ns, 134 ns  

典型接通延遲時間: 10 ns, 19 ns  

零件號別名: FDS6993_NL  

單位重量: 85 mg

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V, 12 V

Id-連續(xù)漏極電流: 4.3 A, 6.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 55 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V, 8 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

晶體管類型: 2 P-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

下降時間: 9 ns, 121 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 14 ns, 20 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 14 ns, 134 ns  

典型接通延遲時間: 10 ns, 19 ns  

零件號別名: FDS6993_NL  

單位重量: 85 mg