區(qū)別：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。

NPO電容器

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

電容在一定的交流信號頻率下產(chǎn)生的容抗，可以限制工作電流。

 例如,在50Hz的工頻條件下,一個1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。當220V的交流電壓加在電容器的兩端,則流過電容的大電流約為70mA。

 雖然流過電容的電流有70mA,但在電容器上并不產(chǎn)生功耗，因為如果電容是一個理想電容,則流過電容的電流為虛部電流,它所作的功為無功功率。

根據(jù)這個特點,我們?nèi)绻谝粋€1uF的電容器上再串聯(lián)一個阻性元件,則阻性元件兩端所得到的電壓和它所產(chǎn)生的功耗完全取決于這個阻性元件的特性。

 因此,電容實際上是利用容抗限流。而電容器實際上起到一個限制電流和動態(tài)分配電容器和負載兩端電壓的角色。

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薄膜電容有很多優(yōu)良的特性

薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性，因此是一種性能好的電容器。

 它的主要等性如下：無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異，而且介質(zhì)損失很小。

 基于以上的優(yōu)點，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。

尤其是在信號交連的部分，必須使用頻率特性良好，介質(zhì)損失極低的電容器，方能確保信號在傳送時，不致有太大的失真情形發(fā)生。

 其結構和紙介電容相同，穩(wěn)定性比較好，適宜做旁路電容。

 聚苯乙烯薄膜電容，介質(zhì)損耗小，絕緣電阻高，但是溫度系數(shù)大，可用于高頻電路。

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