本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-252-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：55 V Id-連續(xù)直流電流：91 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：7.5毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：63 nC Pd-功率耗散：140 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：2.3毫米 長度：6.5毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：6.22毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：2000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRFR1010ZTRPBF SP001571020 單位重量：4 g 特征 先進的工藝技術(shù) 超低導(dǎo)通電阻 175°C工作溫度 快速切換 重復(fù)雪崩允許最大Tjmax 無鉛 描述 這款HEXFET®功率MOSFET利用最新的處理技術(shù)， 使每個硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 此設(shè)計的其他功 能是175°C的結(jié)溫，快速的開關(guān)速度和改進的重復(fù) 雪崩額定值。 這些功能相結(jié)合，使該設(shè)計成為一 種非常有效和可靠的設(shè)備，可用于多種應(yīng)用。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 91 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 65 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) 42 IDM Pulsed Drain Current CD 360 PD @TC = 25°C Power Dissipation 140 W Linear Derating Factor 0.9 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche EnergyCD 110 mJ EAS (Tested ) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value @ 220 IAR Avalanche Current CD See Fig.12a, 12b, 15, 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy CT mJ TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m)