本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TSOP-6 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：3.2 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：200毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：6.4 nC Pd-功率耗散：1.7 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：?jiǎn)?高度：1.1毫米 長(zhǎng)度：3 mm 晶體管類型：1 N溝道 寬度：1.5毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：3000 子類別：MOSFET 零件號(hào)別名：IRLMS1503TRPBF SP001550512 單位重量：20毫克 特征 •第五代技術(shù) •Micro6封裝樣式 •超低RDS（on） •N溝道MOSFET •無(wú)鉛 描述 國(guó)際整流器公司的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先進(jìn)的處理技術(shù)， 使每個(gè)硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)與HEXFET®功率MSFET 眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員 提供了一種極其有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 Micro6™封裝及其定制的引線框架可生產(chǎn)HEXFET®功率MSFET， 其RDS（on）比類似尺寸的SOT-23小60％。 該封裝非常適合印刷 電路板空間非常寶貴的應(yīng)用。 與SOT-23相比，它獨(dú)特的散熱設(shè)計(jì) 和RDS（on）降低使電流處理能力提高了近300％。 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 3.2 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 2.6 IDM Pulsed Drain Current CD 18 PD @TA = 25°C Power Dissipation 1.7 W Linear Derating Factor 13 mW/°C VGS Gate-to-Source Voltage 士 20 V dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 0 5.0 V/ns TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C