本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-252-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：55 V Id-連續(xù)直流電流：29 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：40毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：22.7 nC Pd-功率耗散：68 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：2.3毫米 長度：6.5毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：6.22毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：800 子類別：MOSFET 零件號別名：IRFZ34NSTRLPBF SP001568092 單位重量：4 g 特征 •先進(jìn)的工藝技術(shù) •表面貼裝（IRFZ34NS） •薄型通孔（IRFZ34NL） •175°C工作溫度 •快速切換 •完全雪崩等級 •無鉛 描述 國際整流器公司的第五代HEXFET采用先進(jìn)的處理技術(shù)， 以實現(xiàn)極低的每硅面積導(dǎo)通電阻。這項優(yōu)勢與HEXFET 功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅固耐用的器 件設(shè)計相結(jié)合，為設(shè)計人員提供了一種極其有效和可靠 的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 D2Pak是一種表面安裝電源封裝，能夠容納高達(dá)HEX-4 的裸片尺寸。它提供了 在任何現(xiàn)有的表面貼裝封裝中，都具有最高的功率能力 和最低的導(dǎo)通電阻。 D2Pak的內(nèi)部連接電阻低，因此適 合大電流應(yīng)用，在典型的表面安裝應(yīng)用中，其耗散功率 高達(dá)2.0W。 通孔版本（IRFZ34NL）可用于薄型應(yīng)用。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10Va: 29 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10Va: 20 IDM Pulsed Drain Current CDa: 100 PD @TA = 25°C Power Dissipation 3.8 W PD @TC = 25°C Power Dissipation 68 W Linear Derating Factor 0.45 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage 士 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy0a: 130 mJ IAR Avalanche CurrentCD 16 A EAR Repetitive Avalanche EnergyCD 5.6 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt CTa: 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )