本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-252-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：150 V Id-連續(xù)直流電流：21 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：82毫歐 Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V Qg-萘甲酸：95 nC 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：3.8 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：2.3毫米 長度：6.5毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：6.22毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-對抗：17 S 下降時(shí)間：38 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：32 ns 工廠包裝數(shù)量：800 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF3315STRLPBF SP001563170 單位重量：4 g 特征 先進(jìn)工藝技術(shù) 表面安裝（RF3315S） 低剖面通孔（RF3315L） 175°C工作溫度 快速切換 完全雪崩額定值 無鉛 說明 來自國際整流器的第五代HEXFET采用先進(jìn)的加工技術(shù)， 以實(shí)現(xiàn)每硅面積的極低導(dǎo)通電阻。這一優(yōu)點(diǎn)，再加上 HEXFET功率mosfet眾所周知的快速開關(guān)速度和加固 型器件設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)師提供了一個非常高效和可靠的 設(shè)備，可在各種應(yīng)用中使用D2pak是一個表面貼裝電 源包，能夠在任何現(xiàn)有的表面貼裝封裝中提供最高的 功率容量和最低的導(dǎo)通電阻，可用于尺寸高達(dá)HEX-4 的普通模具。由于其內(nèi)部連接電阻低，所以2PAK適用 于大電流應(yīng)用，在典型的表面安裝應(yīng)用中可以耗散到 2.OW通孔型（RF3315L）可用于低剖面應(yīng)用。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 21 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 15 IDM Pulsed Drain Current G) 170 PD @TA = 25°C Power Dissipation ® 3.5 W PD @TC = 25°C Power Dissipation ® 94 Linear Derating Factor 0.63 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C