本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：PQFN-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：100 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：1.3毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：2.35 V Qg-萘甲酸：50 nC Pd-功率耗散：156 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：0.83毫米 長度：6 mm 晶體管類型：1 N溝道 寬度：5毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-加速度：190 S 下降時(shí)間：13 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：30 ns 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：31 ns 典型起始延遲時(shí)間：26 ns 零件號別名：IRFH8307TRPBF SP001565976 單位重量：164毫克 應(yīng)用領(lǐng)域 用于12V（典型值）總線浪涌電流的OR-ing MOSFET 電池驅(qū)動直流電動機(jī)逆變器 特征 低RDSon（<1.3mΩ） 對PCB的低熱阻（<0.8°C / W） 薄型（<0.9毫米） 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列 與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容 符合RoHS，無鹵素 MSL1，工業(yè)資格 好處 降低傳導(dǎo)損耗 實(shí)現(xiàn)更好的散熱 功率密度增加 多廠商兼容性 易于制造 環(huán)保 可靠性更高 最大絕對額定值 Parameter Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 42 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 33 ID @ TC (Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 100† ID @ TC (Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 100† IDM Pulsed Drain Current  400 PD @TA = 25°C Power Dissipation … 3.6 W PD @TC (Bottom) = 25°C Power Dissipation … 156 Linear Derating Factor … 0.029 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C