本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-247-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：100 V Id-連續(xù)直流電流：33 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：52毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V Qg-萘甲酸：94 nC 最小工作溫度：-55°C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：140 W 封裝：Tube 配置：?jiǎn)?高度：20.7毫米 長(zhǎng)度：15.87毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：39 ns 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：44 ns 典型起始延遲時(shí)間：8.2 ns 零件號(hào)別名：IRFP140NPBF SP001575786 單位重量：38 g 特征 先進(jìn)工藝技術(shù) 動(dòng)態(tài)dv/dt額定值 175°C工作溫度 快速切換 完全雪崩額定值 無鉛 說明 來自國(guó)際整流器的第五代HEXFET利用先進(jìn)的加工技術(shù)， 實(shí)現(xiàn)了對(duì)每硅面積電阻的最低可能性。這一優(yōu)點(diǎn)與HEXFET 功率mosfet的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)結(jié)合在一起， 為設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)非常高效的設(shè)備，可用于多種應(yīng)用。 在功率水平較高而不能使用220個(gè)器件的商業(yè)工業(yè)應(yīng)用中， TO-247封裝是首選。TO-247與歐利T O-218相似，但由于 其獨(dú)立安裝，優(yōu)于歐利T O-218。 最大絕對(duì)額定值 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 33 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 23 IDM Pulsed Drain Current † 110 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 140 W Linear Derating Factor 0.91 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚† 300 mJ IAR Avalanche Current † 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy  14 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dtƒ† 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m)