本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-247-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：150 V Id-連續(xù)直流電流：43 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：42毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：133.3 nC Pd-功率耗散：200 W 封裝：Tube 配置：單 高度：20.7毫米 長度：15.87毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：MOSFET 零件號別名：IRFP3415PBF SP001566972 單位重量：38 g •先進(jìn)的工藝技術(shù) •動(dòng)態(tài)dv / dt評級 •175°C工作溫度 •快速切換 •完全雪崩等級 •無鉛 描述 International Rectifier的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先進(jìn)的處理技術(shù)，使每個(gè)硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 這項(xiàng)優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了一種極其有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 TO-247封裝是商業(yè)工業(yè)應(yīng)用的首選，在商業(yè)應(yīng)用中，較高的功率水平導(dǎo)致無法使用TO-220器件。 TO-247與之相似，但由于其隔離的安裝孔而優(yōu)于早期的TO-218封裝。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 43 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 30 IDM Pulsed Drain Current CD 150 PD @TC = 25°C Power Dissipation 200 W Linear Derating Factor 1.3 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy0 590 mJ IAR Avalanche CurrentCD 22 A EAR Repetitive Avalanche EnergyCD 20 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt a> 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m)