BSO303P H BSO303P H BSO303P H BSO303P H

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數量: 2 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8.2 A

Rds On-漏源導通電阻: 21 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: - 36 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

系列: OptiMOS P  

晶體管類型: 2 P-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標: Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值: 27 S  

下降時間: 39 ns  

濕度敏感性: Yes  

產品類型: MOSFET  

上升時間: 13 ns  

工廠包裝數量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 55 ns  

典型接通延遲時間: 11 ns  

零件號別名: BSO303PHXUMA1 BSO33PHXT SP000613854  

單位重量: 540 mg  

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數量: 2 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8.2 A

Rds On-漏源導通電阻: 21 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: - 36 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

系列: OptiMOS P  

晶體管類型: 2 P-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標: Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值: 27 S  

下降時間: 39 ns