金屬標(biāo)牌蝕刻工藝流程

金屬的種類不同，其蝕刻工藝的流程也不同，標(biāo)牌蝕刻是現(xiàn)在比較常見的一種形式，因成本較低，收入穩(wěn)定大受歡迎，很多人在選擇蝕刻加工時都會選擇標(biāo)牌蝕刻法。

標(biāo)牌蝕刻法：即通過光化學(xué)反應(yīng)和蝕刻來加工金屬零件的一種工藝方法。要更進(jìn)一步地改善,可以透過對板中心和邊緣處不同的噴淋壓力,以及對板前沿和板后端采用間歇蝕刻的方法﹐達(dá)到整個板面的蝕刻均勻性。標(biāo)牌蝕刻法充分利用當(dāng)前先進(jìn)的計算機(jī)輔助設(shè)計技術(shù)，將需要加工的圖形制成菲林，然后將菲林圖形通過光化學(xué)反應(yīng)復(fù)制到金屬材料表面，在金屬材料表面形成被保護(hù)起來的金屬零件圖形，再通過蝕刻的方法，把未保護(hù)的金屬材料蝕掉就產(chǎn)生出了金屬零件。

標(biāo)牌蝕刻法與傳統(tǒng)的機(jī)械沖制方法相比，制作具有生產(chǎn)周期短（一般3天可以制造出產(chǎn)品），修改尺寸方便快捷的優(yōu)點(diǎn)；而機(jī)械沖制方法必須具備高精度的沖制設(shè)備和模具加工設(shè)備，開發(fā)周期要2至3個月。由于蝕刻法的特殊性，零件的復(fù)雜程度與加工難易程度無關(guān)；相對而言，機(jī)械沖制方法對復(fù)雜的零件處理起來往往會增加制造難度，有的甚至無法加工。蝕刻法制造僅需設(shè)計制作菲林（感光膠等），新品開發(fā)費(fèi)用少；蝕刻法制造的金屬零件無毛刺，不改變材料的磁特性，標(biāo)識加工后的產(chǎn)品平整度不受絲毫改變。大約3分鐘后，咱們可在出料口拿到試刻的不銹鋼板，用手試摸一下蝕刻的深淺程度,若是手指上感到有點(diǎn)凹凸的覺得，這時的深度在大概在0。

標(biāo)牌蝕刻法適用于批量大、品種多、大平面的薄型金屬材料加工和金屬制品表面工藝裝飾（半腐蝕），亞克力同時也適用于單件小批打樣。二電解蝕刻機(jī)電蝕刻是利用金屬在以自來水或鹽水為蝕刻主體的液體中發(fā)生陽極溶解的原理，(電解的作用下)將金屬進(jìn)行蝕刻，接通蝕刻電源，從而達(dá)到蝕刻的目的。現(xiàn)應(yīng)用于各種集成電路引線框和熒光顯示屏列陣、柵網(wǎng)、精密過濾網(wǎng)、編碼器光柵、微電極、掩模板、集成電路蓋板、顯象管蔭罩、表面貼裝（SMT）錫膏網(wǎng)印板等產(chǎn)品。

隨著標(biāo)牌蝕刻工藝的日臻完善、設(shè)計水平的提高、工藝設(shè)備的更新，蝕刻產(chǎn)品的精度會更上一個臺階，開發(fā)出更為廣泛的應(yīng)用市場。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進(jìn)行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機(jī)均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計 圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過程稱為光刻。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能，芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進(jìn)的3D設(shè)備，并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。 ? 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負(fù)之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過能力。

條寬損失 (Etch bias) 過蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。補(bǔ)償蝕刻速率和膜厚的不均勻 性。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過程中無意留下的物質(zhì)。使用攪拌式蝕刻機(jī)，蝕刻機(jī)為一個大瓷缸，中央裝有一個帶葉片的立柱，金屬板放在缸的旁邊，葉片不斷攪動腐蝕液，進(jìn)行腐蝕。 微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜摻雜以及殘留物產(chǎn)生的無意留下的掩膜。 糊膠（Resist reticulation）-- 溫度超過 150 攝氏度時光刻膠產(chǎn)生的燃燒和折皺。 縱橫比（Aspect ratio）-- 器件結(jié)構(gòu)橫截面深度和寬度的比率。