中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結(jié)，常壓燒結(jié)等工藝，可保證靶材摻雜比例準(zhǔn)確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%

中諾新材產(chǎn)品說明

中諾新材的主要產(chǎn)品：

----------金屬（靶材及鍍膜材料）----------

----------合金（靶材及鍍膜材料）----------

----------陶瓷化合物（靶材及鍍膜材料）----------

----------高純金屬、粉體材料----------

----------半導(dǎo)體材料，稀有金屬材料----------

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于航空航天、科研、LED、電子半導(dǎo)體、平板顯示、太陽能光伏、能源汽車、3D打印等領(lǐng)域。

高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導(dǎo)體;摻入微量的第VA族元素，形成n型半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成p-n結(jié)，就可做成太陽能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋Ｔ陂_發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應(yīng)用的二極管、三極管、晶閘管、場效應(yīng)管和各種集成電路(包括人們計(jì)算機(jī)內(nèi)的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。同時(shí)，這些材料亦廣泛應(yīng)用于精密合金熔煉、高純化合物制備以及高品質(zhì)晶體制備等領(lǐng)域。