而采用噴淋的方式卻可以 達(dá)到通過大氣中氧的作用將一價(jià)銅轉(zhuǎn)換成二價(jià)銅, 并去除一價(jià)銅, 這就是需要將空氣通入 蝕刻箱的一個(gè)功能性的原因。 但是如果空氣太多﹐又會(huì)加速溶液中的氨的損失而使 PH 值下 降﹐使蝕刻速率降低。 氨在溶液中的變化量也是需要加以控制的, 有一些用戶采用將純氨 通入蝕刻儲(chǔ)液槽的做法, 但這樣做必須加一套 PH 計(jì)控制系統(tǒng), 當(dāng)自動(dòng)監(jiān)測的 PH 結(jié)果低于默 認(rèn)值時(shí)﹐便會(huì)自動(dòng)進(jìn)行溶液添加。 在相關(guān)的化學(xué)蝕刻（亦稱之為光化學(xué)蝕刻或 PCH）領(lǐng)域中﹐研究工作已經(jīng)開始﹐并達(dá)至 蝕刻機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的階段。由于要求蝕刻的深度較深，所以選用的保護(hù)涂料應(yīng)與基體有良好的附著力，涂層本身有較好的強(qiáng)度和延伸率。

試劑必須要通過 芯片上的小孔才能進(jìn)入通道網(wǎng)絡(luò)，所以通過微加工技術(shù)所制得的具有不同結(jié)構(gòu)和功 能單元的微流控芯片基片，在與蓋板封接之前必須在微通道末端打一小孔，組裝成 微流控成品才能使用。小孔可鉆在基片上，也可鉆在蓋板上。 ?所以﹐采用無銅的添加液來漂洗板子(第二次噴淋操作的方法)﹐可大大地減少銅的排出量。 玻璃芯片的打孔方法包括金剛石打孔法，超聲波打孔法，和激光打孔法。打孔后一 定要將芯片制作和打孔過程中所殘留的小顆粒、有機(jī)物和金屬物等清除干凈，包括 化學(xué)清洗，提高芯片表面平整度，以保證封接過程順利進(jìn)行 對(duì)玻璃和石英材質(zhì)刻蝕的微結(jié)構(gòu)一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質(zhì)的 蓋片洗凈烘干對(duì)齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板， 在上面的石墨板上再壓一塊重 0.5kg 的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。

負(fù)載（Loading）-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數(shù)量，可在宏觀或微觀尺寸下。 縱橫比決定蝕刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蝕刻速率決定于縱橫比。 終點(diǎn)（Endpoint）-- 在一個(gè)蝕刻過程中，平均膜厚被蝕刻干凈時(shí)的時(shí)間點(diǎn)。 光刻膠（Photo-resist）-- 作為掩膜用來圖形轉(zhuǎn)移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于測試光學(xué)系統(tǒng)把相鄰的目標(biāo)形成分離圖像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標(biāo)能形成影像的縱向距。4精細(xì)網(wǎng)印徹底烘干選用硬度中偏低膠刮復(fù)墨網(wǎng)印，達(dá)到墨層厚而均勻，沒有斷線與眼，印完一色烘一色（100℃，10分鐘），最后一次印完在烘干150℃，1。 關(guān)鍵尺寸（Critical dimensions-CD）-- 一個(gè)特征圖形的尺寸，包括線寬、間隙、或者 關(guān)聯(lián)尺寸。