1.6 蝕刻

可用兩種方法進(jìn)行蝕刻： A、電解法：電流 15－50A，電壓 3－5V，電解液：20%氯化銨、20%硫酸，陽極用鈦板。電解過程中及時(shí)去掉陽極上浮 留電解銅，以保證電流正常通過。中間沒粘透明膠帶部分正好和不銹鋼板的大小吻合，這樣在涂耐腐蝕的感光油墨的時(shí)候，位置才會(huì)準(zhǔn)確。 B、三氯化鐵法：選用較純的三氯化鐵泡成 30 波氏度溶液，流 動(dòng)腐蝕。同一個(gè)版面要達(dá)到深淺不同效果，要在頭次達(dá)到淺度要求 后，清洗表面，烘干。在已達(dá)到淺度蝕刻處涂上（印上）普通耐蝕刻 油墨，再行二次蝕刻。 1.7 除膜 將已蝕刻完畢的銅板放在水、 氫氧化鈉30∶1∶0.1 溶液 中加溫至 70℃除膜、清洗出光。 1.8 電鍍 除膜后的銅板圖案已經(jīng)很亮，很細(xì)，無須再行鍍亮銅，可直接 進(jìn)行鍍鎳 40－90 秒，再行鍍金、鍍銀。

試劑必須要通過 芯片上的小孔才能進(jìn)入通道網(wǎng)絡(luò)，所以通過微加工技術(shù)所制得的具有不同結(jié)構(gòu)和功 能單元的微流控芯片基片，在與蓋板封接之前必須在微通道末端打一小孔，組裝成 微流控成品才能使用。提示：如果蝕刻太深，要提高傳送帶前進(jìn)速度：如果蝕刻太淺，要降低傳送帶前進(jìn)速。小孔可鉆在基片上，也可鉆在蓋板上。 ? 玻璃芯片的打孔方法包括金剛石打孔法，超聲波打孔法，和激光打孔法。打孔后一 定要將芯片制作和打孔過程中所殘留的小顆粒、有機(jī)物和金屬物等清除干凈，包括 化學(xué)清洗，提高芯片表面平整度，以保證封接過程順利進(jìn)行 對玻璃和石英材質(zhì)刻蝕的微結(jié)構(gòu)一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質(zhì)的 蓋片洗凈烘干對齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板， 在上面的石墨板上再壓一塊重 0.5kg 的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。

一、二槽酸液蝕刻 Glass 材料時(shí)設(shè)置的溫度、速度、需根據(jù)酸液的濃度及材料導(dǎo)電層附著力的強(qiáng)弱而調(diào)節(jié),以能完 全蝕刻、不短路為原則并配合堿段的參數(shù)； b.同時(shí)生產(chǎn)前需做首件檢測原材料方阻,方阻需在要求范圍之內(nèi)才可正常生產(chǎn)； c.兩槽酸液流量要適中范圍； d.如出現(xiàn)刻不斷等其它的現(xiàn)象時(shí)請優(yōu)先調(diào)整各階段的速度以 1.5 為基準(zhǔn)往上調(diào)或往下調(diào)； e.酸槽的速度必須小于不等于堿槽的速度。大約3分鐘后，咱們可在出料口拿到試刻的不銹鋼板，用手試摸一下蝕刻的深淺程度,若是手指上感到有點(diǎn)凹凸的覺得，這時(shí)的深度在大概在0。 （2）堿洗、脫膜(Glass)