IS43LD32160A-25BLI ISSI 芯成半導(dǎo)體LPDDR 原裝現(xiàn)貨

生產(chǎn)商：ISSI 芯成半導(dǎo)體
規(guī)格型號：IS43LD32160A-25BLI
中文名稱：低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器
英文名稱：LPDDR SDRAM

LPDDR2 SDRAM 產(chǎn)品概述

LPDDR2計劃用于智能手機、手機、PDA、GPS單元以及便攜式游戲機等移動產(chǎn)品。JEDEC稱其特征主要有三點。即（1）與此前標(biāo)準(zhǔn)（LPDDR）相比，加大了節(jié)能技術(shù)的支持；（2）非易失性內(nèi)存（閃存）和易失性內(nèi)存（SDRAM）可共用接口；（3）擴大了支持的內(nèi)存容量和特性范圍。

美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC Solid State Technology Association）宣布，面向低功耗內(nèi)存的新標(biāo)準(zhǔn)——“JESD209-2 Low Power Double Data Rate 2（以下簡稱LPDDR2)”已經(jīng)公開。與此前的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)一樣，可通過JEDEC的主頁免費查詢。

LPDDR2計劃用于智能手機、手機、PDA、GPS單元以及便攜式游戲機等移動產(chǎn)品。JEDEC稱其特征主要有三點。即（1）與此前標(biāo)準(zhǔn)（LPDDR）相比，加大了節(jié)能技術(shù)的支持；（2）非易失性內(nèi)存（閃存）和易失性內(nèi)存（SDRAM）可共用接口；（3）擴大了支持的內(nèi)存容量和特性范圍。

其主要內(nèi)容分別如下。首先關(guān)于（1）的節(jié)能技術(shù)，在接口（I/O）與內(nèi)部的電壓和內(nèi)部電壓兩方面，原來的LPDDR為+1.8V，而此次的LPDDR2還支持+1.2V。并且，還支持更新部分內(nèi)存陣列的“Partial Array Self Refresh”和“Per-Bank Refresh”。

（2）中的閃存和SDRAM可共用接口此次還是首次。這樣可降低控制器的引腳數(shù)，提高內(nèi)存子系統(tǒng)周圍的安裝密度。

（3）的內(nèi)存特性和容量方面，支持的工作頻率為100MHz～533MHz。數(shù)據(jù)位寬為×8、×16和×32。有2bit和4bit兩種。閃存容量為64Mbit～32Gbit，DRAM為64Mbit～8Gbit。

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