蝕刻液的 PH 值﹕

堿性蝕刻液的 PH 值較高時﹐側(cè)蝕會增大。蝕刻液的密度﹕堿性蝕刻液的密度太低會加重側(cè)蝕﹐選用高銅濃度的蝕刻液對減少側(cè)蝕非常有利。 為了減少側(cè)蝕﹐PH 值一般應(yīng)控制在 8.5 以下。 蝕刻液的密度﹕ 堿性蝕刻液的密度太低會加重側(cè)蝕﹐選用高銅濃度的蝕刻液對減少側(cè)蝕非常有利。 銅箔厚度﹕ 要達到小側(cè)蝕的細導(dǎo)線的蝕刻﹐采用（超）薄銅箔。 而且線寬越細﹐銅箔厚度應(yīng)越 薄。 因為, 銅箔越薄在蝕刻液中的時間會越短﹐側(cè)蝕量就越小。 2. 提高基板與基板之間蝕刻速率的一致性 在連續(xù)的板蝕刻中﹐蝕刻速率的一致性越高﹐越能獲得蝕刻均勻的板。 要達到這一 個要求﹐必須保證蝕刻液在蝕刻的整個過程始終保持在很好的蝕刻狀態(tài)。

負載（Loading）-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數(shù)量，可在宏觀或微觀尺寸下。PCB外層電路的蝕刻工藝在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個較為精細和覆雜的化學反應(yīng)過程,卻又是一項易于進行的工作。 縱橫比決定蝕刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蝕刻速率決定于縱橫比。 終點（Endpoint）-- 在一個蝕刻過程中，平均膜厚被蝕刻干凈時的時間點。 光刻膠（Photo-resist）-- 作為掩膜用來圖形轉(zhuǎn)移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于測試光學系統(tǒng)把相鄰的目標形成分離圖像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標能形成影像的縱向距。 關(guān)鍵尺寸（Critical dimensions-CD）-- 一個特征圖形的尺寸，包括線寬、間隙、或者 關(guān)聯(lián)尺寸。

如騰訊手機管家需要打開自啟權(quán)限以實時保護手機安全，外加開放聯(lián)系人和短信權(quán)限等功能，才能有效對手機的某些安全選項進行監(jiān)控；再如360安全衛(wèi)士同樣需要用戶開放自啟權(quán)限，否則會導(dǎo)致許多基礎(chǔ)功能無法使用，另外還要開放短信和讀取等權(quán)限，否則影響流量監(jiān)控和欺詐攔截等功能的使用。要達到這一個要求﹐必須保證蝕刻液在蝕刻的整個過程始終保持在很好的蝕刻狀態(tài)。由此看來，這些手機安全衛(wèi)士本身是為了保護手機安全，最后卻由于獲取的權(quán)限過多，安全性質(zhì)似乎有些變質(zhì)。 其次安全防護功能不夠徹底，可能只起到安全輔助作用。顧名思義，手機安全軟件的作用就是為了防護手機安全，其次才擴張到其他衍生功能上，但有些手機安全軟件的安全防護功能卻似乎沒那么“專業(yè)”，在進行手機殺毒操作時需要配合自家的另一款殺毒軟件，才能完全發(fā)揮殺毒功效。