蝕刻過程中應(yīng)注意的問題

1. 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù)

側(cè)蝕會(huì)產(chǎn)生突沿。 通常印制板在蝕刻液中的時(shí)間越長, 側(cè)蝕的情況越嚴(yán)重。 側(cè)蝕將嚴(yán) 重影響印制導(dǎo)線的精度﹐ 嚴(yán)重的側(cè)蝕將不可能制作精細(xì)導(dǎo)線。 當(dāng)側(cè)蝕和突沿降低時(shí)﹐蝕刻 系數(shù)就會(huì)升高﹐高蝕刻系數(shù)表示有保持細(xì)導(dǎo)線的能力﹐使蝕刻后的導(dǎo)線能接近原圖尺寸。 無論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過度時(shí)都會(huì)造成導(dǎo)線短路。將三氯化鐵溶液倒在細(xì)長的量杯中，刺進(jìn)波美計(jì)，挨著液面的數(shù)值就是它的波美濃度。

負(fù)載（Loading）-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數(shù)量，可在宏觀或微觀尺寸下。 縱橫比決定蝕刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蝕刻速率決定于縱橫比。 終點(diǎn)（Endpoint）-- 在一個(gè)蝕刻過程中，平均膜厚被蝕刻干凈時(shí)的時(shí)間點(diǎn)。 光刻膠（Photo-resist）-- 作為掩膜用來圖形轉(zhuǎn)移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于測試光學(xué)系統(tǒng)把相鄰的目標(biāo)形成分離圖像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標(biāo)能形成影像的縱向距。 關(guān)鍵尺寸（Critical dimensions-CD）-- 一個(gè)特征圖形的尺寸，包括線寬、間隙、或者 關(guān)聯(lián)尺寸。缺點(diǎn)：蝕刻面不均勻，大面積腐蝕速度慢，不能用于量產(chǎn)，也不能做凸字大面積蝕刻，不能用做標(biāo)牌的大批量生產(chǎn)加工。

同時(shí)，隨著人工智能技術(shù)的發(fā)展，將人工智能技術(shù)運(yùn)用到手機(jī)安全防護(hù)上，也成為手機(jī)安全市場新的發(fā)展方向。在人工智能技術(shù)的扶持下，完成對(duì)手機(jī)用戶生活場景的覆蓋，可以為手機(jī)用戶提供更加智能化的安全防護(hù)操作。 綜合看來，各種手機(jī)病毒在一輪又一輪的打壓中成批死去，但同時(shí)又有新的病毒席卷而來，手機(jī)安全問題一直縈繞在人們生活中。未來的手機(jī)安全市場，如果手機(jī)本身就帶有非常高的安全系統(tǒng)，無需用戶擔(dān)心安全問題，那也不存在第三方手機(jī)安全衛(wèi)士這一說了。不過，把威脅手機(jī)安全的病毒徹底清除并非那么簡單，因此手機(jī)安全這場戰(zhàn)役準(zhǔn)確來說還是場艱苦的戰(zhàn)役。2～2g/l，增稠劑2～20g/l，拋光溫度為25～40℃，拋光時(shí)間為1～5h。