一般信息

數(shù)據(jù)列表       IRF640N(S,L)PbF;

標(biāo)準(zhǔn)包裝      50

包裝      管件 

零件狀態(tài)       有源

類別       分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族    晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

系列       HEXFET?

其它名稱       *IRF640NPBF

SP001570078

 

規(guī)格

FET 類型       N 通道

技術(shù)       MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）       200V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)    18A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）      150 毫歐 @ 11A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）    67nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）  1160pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    150W（Tc）

工作溫度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型       通孔

供應(yīng)商器件封裝    TO-220AB

封裝/外殼      TO-220-3