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MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進(jìn)步，如微處理器運(yùn)算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來(lái)越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號(hào)處理上的成功來(lái)自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動(dòng)作時(shí)才有電流通過(guò)。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時(shí)間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會(huì)有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流（DC）信號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無(wú)限大（等效于開(kāi)路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動(dòng)。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動(dòng)器（driver）外，每一級(jí)的邏輯門都只要面對(duì)同樣是MOSFET的柵極，如此一來(lái)較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動(dòng)力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見(jiàn)的TTL）就沒(méi)有這些優(yōu)勢(shì)。MOSFET的柵極輸入電阻無(wú)限大對(duì)于電路設(shè)計(jì)工程師而言亦有其他優(yōu)點(diǎn)，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。

顯示信息驅(qū)動(dòng)ic是顯示器顯像系統(tǒng)軟件的關(guān)鍵一部分，是集成了電阻器，控制器，電壓比較器和輸出功率三極管等構(gòu)件的，包含LCD控制模塊和顯示信息分系統(tǒng)，承擔(dān)驅(qū)動(dòng)器顯示屏和操縱工作電壓等作用，分成靜態(tài)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和動(dòng)態(tài)性驅(qū)動(dòng)器二種方式。

顯示信息驅(qū)動(dòng)ic可以驅(qū)動(dòng)器各種各樣高中低檔特性，單、雙及精彩的顯示器。普遍的運(yùn)用于電信網(wǎng)、郵政快遞、金融業(yè)、交通出行、運(yùn)動(dòng)場(chǎng)館等每個(gè)制造行業(yè)和政府部門部門。

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伴隨著WiFi6的落地式普及化，高速運(yùn)行產(chǎn)生的高變換與高容，對(duì)無(wú)線路由器等機(jī)器設(shè)備的運(yùn)存將會(huì)出現(xiàn)高些的規(guī)定。

DDR做為運(yùn)用普遍的動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器，被運(yùn)用于光纖貓機(jī)器設(shè)備中，DDR實(shí)質(zhì)上不用提升時(shí)鐘頻率就能翻倍提升SDRAM的速率，它容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。