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MOSFET幾種典型驅(qū)動電路（二）

模擬電路

有一段時間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的，因為模擬電路設(shè)計重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的另外一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。

線性LED驅(qū)動IC跟非線性LED驅(qū)動IC的區(qū)別

壓降比較大或知者驅(qū)動電流大的時候，線性的功耗大，效率低，開關(guān)的功耗小，。不過如果壓降不大或者電流小，線性驅(qū)動的電流穩(wěn)定，道并且用的原件要遠(yuǎn)遠(yuǎn)少于開關(guān)的。

驅(qū)動方法

利用電流值的調(diào)節(jié)方法

利用脈沖幅變調(diào)技術(shù)的調(diào)節(jié)方法

電流值的調(diào)節(jié)方法主要版是改變電流值調(diào)節(jié)的亮度，此處假設(shè) 時的光度為1倍，白光的光度與電流變化時的光度變成1.7倍， 時的光度變成3倍，雖然照度與電流值并權(quán)不是比例關(guān)系，不過紅光卻呈比例關(guān)系，主要原因是紅、綠、藍(lán)的晶片物性彼此相異所致。

?什么叫存儲器

存儲器是半導(dǎo)體材料電子器件中必不可少的構(gòu)成部分，基本上存有于全部的電子產(chǎn)品中。伴隨著互聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)、云計算技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、人工智能技術(shù)等產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢，其在全部全產(chǎn)業(yè)鏈中飾演的人物角色愈來愈關(guān)鍵。

存儲器的類型許多，按主要用途可分主導(dǎo)存儲器和輔助存儲器。

前面一種又被稱為內(nèi)存儲器（運行內(nèi)存），能夠 與CPU立即互換數(shù)據(jù)信息，速度更快、容積小、價錢高。

后面一種為外存儲器（外存），指除運行內(nèi)存及緩存文件之外的存儲集成ic。該類存儲集成ic一般關(guān)閉電源后依然能儲存數(shù)據(jù)信息，速度比較慢、容積大、價格便宜。

依照關(guān)閉電源后數(shù)據(jù)信息是不是遺失，可分成易失性存儲器和非易失性存儲器。

易失性存儲器普遍的有DRAM和SRAM。

非易失性存儲器普遍的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。