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?為什么需要MOSFET驅(qū)動器？

要驅(qū)動大容量MOSFET需要提供短時瞬間大電流，并在溝道開通后維持合適的柵源電壓(10～15V)，如果用普通控制芯片或單片機直接驅(qū)動，輸出電流不夠，輸出電壓也沒有這么高，所以需要驅(qū)動器抄。有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驅(qū)動器，可以直接驅(qū)動小容量MOSFET。

MOSFET不需要電流zhidao，是因為溝道開通后，不需要像BJT那樣必須維持一個基極電流Ib，但在溝道從關(guān)閉到到開通前，必須用瞬態(tài)大電流給MOSFET柵極電容充電。

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對IGBT驅(qū)動電路有什么要求

IGBT對驅(qū)動電路的要求：

(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負載短路時其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負偏電壓可防止由于關(guān)斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開關(guān)時間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負載下,IGBT的開頻率不宜過大,因為高速開斷和關(guān)斷會產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開通后,驅(qū)動電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損耗;RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動電路應(yīng)具有較強的抗干擾能力及對IG2BT的保護功能。IGBT的控制、 驅(qū)動及保護電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。

?晶片購買價格

對芯片的采購，分為前期和后期兩個階段。

晶片采購前期，就是晶片的選擇，品牌的選擇，數(shù)量的確定，在項目電路方案評審之前，是工程師的主要工作內(nèi)容，工程師對項目的方案BOM表進行審核，并以此初步估算項目的成本。

晚些時候，是芯片的批量采購，是根據(jù)工程師提供的BOM表，和芯片供應(yīng)商商談后的批量采購價格。

晶片的終批量采購價格，一般是在前期工程師晶片采購價格估算的基礎(chǔ)上，多次與廠商進行降價的結(jié)果。它還可以解釋工程師們關(guān)注芯片采購的必要性。