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為什么在led驅(qū)動(dòng)電源中要盡量使用mosfet器件

LED驅(qū)動(dòng)電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應(yīng)從產(chǎn)品性價(jià)比、系統(tǒng)來散熱（包括電源本身和燈具）幾方面考慮，并不一定要求LED電源要用MOS管：

1、從散源熱角度考慮：LED驅(qū)動(dòng)電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體，根據(jù)多年設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，我們賽明源電源在設(shè)計(jì)30W以上電源時(shí)全部使用MOS管與控制IC分離方案。因?yàn)榘?，就現(xiàn)有技術(shù)（截止2015年）內(nèi)置MOS管方案超過30W以上電源散熱就是問題，系統(tǒng)很難保證其穩(wěn)定性；

2、從度性價(jià)比上考慮：在設(shè)計(jì)30W以下LED電源時(shí)，賽明知源電源有些采用內(nèi)置MOS管方案道，因?yàn)檫@種方案已經(jīng)成熟，散熱不是問題，系統(tǒng)穩(wěn)定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS，再說內(nèi)置MOS方案EMC指標(biāo)很容易通過。

用什么直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片（二）

2 ML4428原理圖及功能實(shí)現(xiàn)

ML4428電機(jī)控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(jī)(BLDC)提供起動(dòng)和調(diào)速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝，它的內(nèi)部框圖如圖1所示〔1〕，ML4428使用鎖相環(huán)技術(shù)，從電機(jī)線圈檢測反電勢，確定換向次序；采用專門的反電勢檢測技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)三相無刷直流換向且不受PWM噪聲及電機(jī)緩沖電路的影響；采用了檢查轉(zhuǎn)子位置并準(zhǔn)確對(duì)電機(jī)加速的起動(dòng)技術(shù)，確保起動(dòng)時(shí)電機(jī)不會(huì)反轉(zhuǎn)并可縮短起動(dòng)時(shí)間。

2.1 反電勢檢測信號(hào)的獲得

無位置傳感器無刷直流電動(dòng)機(jī)的控制與有位置傳感器無刷直流電機(jī)控制的根本區(qū)別就是利用反電勢的波形尋找換向點(diǎn)。當(dāng)永磁無刷直流電動(dòng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，各相繞組的反電動(dòng)勢(EMF)與轉(zhuǎn)子位置密切相關(guān)。由于各相繞組是交替導(dǎo)通工作的，在某相不導(dǎo)通的時(shí)刻，其反電動(dòng)勢波形的某些特殊點(diǎn)，可代替轉(zhuǎn)子位置傳感器的功能，得到所需要的信息。

由于對(duì)于單相反電動(dòng)勢波形圖，反電動(dòng)勢過零點(diǎn)30°處對(duì)應(yīng)繞組的換向信號(hào)，找出反電動(dòng)勢過零點(diǎn)，即反電動(dòng)勢檢測的任務(wù)〔2〕?；谶@一原理，在該芯片內(nèi)設(shè)計(jì)了一個(gè)獨(dú)特的反電勢檢測電路(見圖2)，由于有了中點(diǎn)模擬電路，不需從電機(jī)三相繞組中引出中線

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伴隨著WiFi6的落地式普及化，高速運(yùn)行產(chǎn)生的高變換與高容，對(duì)無線路由器等機(jī)器設(shè)備的運(yùn)存將會(huì)出現(xiàn)高些的規(guī)定。

DDR做為運(yùn)用普遍的動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器，被運(yùn)用于光纖貓機(jī)器設(shè)備中，DDR實(shí)質(zhì)上不用提升時(shí)鐘頻率就能翻倍提升SDRAM的速率，它容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。