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用什么直流電機驅(qū)動芯片（三）

其中多路轉(zhuǎn)換器開關(guān)依次接入產(chǎn)生反電動勢的繞組，比較中點模擬器與多路轉(zhuǎn)換器的輸出，可以得出兩路輸出波形相似，幅度不同，交叉點即反電動勢過零點。這兩路輸出通過右邊的比較器輸出為轉(zhuǎn)子當(dāng)前的相位信號，決定換向頻率(VCO)的增減，換向頻率與采樣反電勢相位比較，落后的換向使誤差放大器向環(huán)路濾波器充電，從而增大VCO輸入。相反，提早換向?qū)瓠h(huán)路濾波器上電容放電，使VCO輸入減少。利用此鎖相環(huán)(PLL)技術(shù)，獲得適當(dāng)?shù)膿Q向時刻。此外，從RCVCO腳取出的信號是代表電動機速度的電壓信號，可用于閉環(huán)速度控制。速度的頻率信號可由監(jiān)視VCO的輸出來得到，它是鎖相環(huán)鎖定到電機準(zhǔn)確的換向頻率的信號。

2.2 起動換向技術(shù)

換向是由反電勢信號采樣檢出經(jīng)鎖相環(huán)控制而完成的，在電機靜止及低速運行時，其反電勢為零或極低，無法檢測，因此必須由其它方法“開環(huán)”起動，到產(chǎn)生足夠大的反電勢方能進入正常換向。

ML4428控制芯片提供了完滿的起動換向技術(shù)：ML4428內(nèi)部有一個RUN比較器，RCVCO腳電壓信號代表了電動機的速度信號，起動時RCVCO腳電壓低于0.6V，RUN比較器輸出“開啟”起動邏輯電路，“關(guān)閉”換向邏輯電路，ML4428將發(fā)出6個取樣來測定轉(zhuǎn)子位置，并驅(qū)動相應(yīng)的線圈以產(chǎn)生所需轉(zhuǎn)動，這將導(dǎo)致電機加速直到RCVCO腳電壓達到0.6V，速度足夠高產(chǎn)生被檢測的反電勢，此時RUN比較器輸出關(guān)閉起動邏輯電路，允許鎖相環(huán)電路工作開始，進入正常的換向邏輯工作狀態(tài)，經(jīng)檢測此時電機速度是電機轉(zhuǎn)速的8%。

DDR做為運用普遍的動態(tài)性隨機存儲器儲存器，被運用于無線路由器、光纖貓等機器設(shè)備中，DDR容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。

以瑞泰威發(fā)布的高質(zhì)量DDR為例子，容積為64Mb*16/128Mb*16/255Mb*16/512Mb*16等，

封裝規(guī)格BGA96Ball8*14mm/7.5*13.5毫米等，操作溫度0°C~85°C，工作標(biāo)準(zhǔn)電壓1.9V/1.35V，有著優(yōu)異的速率傳送數(shù)據(jù)，能夠 迅速、輕輕松松地解決很多工作中負(fù)荷，在更迅速與更節(jié)電的另外亦可以增強信號的一致性、改進材料傳送及存儲的可信性。

?晶片購買價格

對芯片的采購，分為前期和后期兩個階段。

晶片采購前期，就是晶片的選擇，品牌的選擇，數(shù)量的確定，在項目電路方案評審之前，是工程師的主要工作內(nèi)容，工程師對項目的方案BOM表進行審核，并以此初步估算項目的成本。

晚些時候，是芯片的批量采購，是根據(jù)工程師提供的BOM表，和芯片供應(yīng)商商談后的批量采購價格。

晶片的終批量采購價格，一般是在前期工程師晶片采購價格估算的基礎(chǔ)上，多次與廠商進行降價的結(jié)果。它還可以解釋工程師們關(guān)注芯片采購的必要性。