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驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)考慮哪些因素

近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。在設(shè)計(jì)MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，應(yīng)考慮一下幾個(gè)因素：

（1）要有一定的驅(qū)動(dòng)功率。也就是說，驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠的電流，在所要求的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)對(duì)MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實(shí)質(zhì)上是對(duì)其輸入電容的充放電過程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf決定輸入回路的時(shí)間常數(shù)，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻越小，驅(qū)動(dòng)速度越快。

（2）驅(qū)動(dòng)電路延遲時(shí)間要小。開關(guān)頻率越高，延遲時(shí)間要越小。

（3）大功率IGBT在關(guān)斷時(shí)，有時(shí)須加反向電壓，以防止受到干擾時(shí)誤開通。

（4）驅(qū)動(dòng)信號(hào)有時(shí)要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開關(guān)管開通，另一只開關(guān)管要關(guān)斷，或者同時(shí)關(guān)斷。其中，兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對(duì)于中小功率的驅(qū)動(dòng)電路，用脈沖變壓器的方法實(shí)現(xiàn)隔離為簡單，而在大功率的應(yīng)用場合，則要使用集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。

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伴隨著WiFi6的落地式普及化，高速運(yùn)行產(chǎn)生的高變換與高容，對(duì)無線路由器等機(jī)器設(shè)備的運(yùn)存將會(huì)出現(xiàn)高些的規(guī)定。

DDR做為運(yùn)用普遍的動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器，被運(yùn)用于光纖貓機(jī)器設(shè)備中，DDR實(shí)質(zhì)上不用提升時(shí)鐘頻率就能翻倍提升SDRAM的速率，它容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。

即便在我國現(xiàn)階段高新科技追逐全球水準(zhǔn)，可是因?yàn)殚_機(jī)時(shí)間比國家有一定的延遲時(shí)間，因此關(guān)鍵技術(shù)沒能把握在自身手上，到目前為止在我國絕大多數(shù)的集成ic仍然借助著進(jìn)口，受制于人，包含LED顯示器的顯示驅(qū)動(dòng)集成ic也是這般。

盡管國內(nèi)生產(chǎn)制造的過程早在兩年前就以推上國家發(fā)展日程表，但因?yàn)樯a(chǎn)制造合格率無法合格，因而集成ic國內(nèi)生產(chǎn)制造的一拖再拖無法步入正軌，再加此前英國對(duì)華貿(mào)易為的第二輪封禁，華為公司決策生產(chǎn)制造顯示驅(qū)動(dòng)IC芯片，以彌補(bǔ)中國芯片在該行業(yè)的技術(shù)性空缺。