NOR FLASH 與NAND FLASH區(qū)別。
Flash存儲(chǔ)器又稱閃存,是一種可以在線多次擦除的非易失性存儲(chǔ)器,即掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,具體積小、功耗低、抗振性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),為嵌入式系統(tǒng)中典型的兩種存儲(chǔ)設(shè)備。
1、NOR型Flash:如 旺宏MX25L1606EM2I-12G,可以直接讀取芯片內(nèi)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù),速度比較快,但價(jià)格較高;芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecute In Place),應(yīng)用程序可以直接在Flash上運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中;
2、NAND型Flash:如TIO 1G AFND1G08U3,內(nèi)部數(shù)據(jù)以塊為單位存儲(chǔ),地址線和數(shù)據(jù)線共用,使用控制信號(hào)選擇;極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫入和擦除的速度也快,應(yīng)用NAND型的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。
3、細(xì)述二者的差別:
(1)、接口差別:
NOR型Flash采用的SRAM接口,提供足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以很容易的存取其片內(nèi)的每一個(gè)字節(jié);NAND型Flash使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行的存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同,通常是采用8個(gè)I/O引腳來(lái)傳送控制、地址、數(shù)據(jù)信息。
(2)、讀寫的基本單位:
NOR型Flash操作是以“字”為基本單位,而NAND型Flash以“頁(yè)面”為基本單位,頁(yè)的大小一般為512字節(jié)。
(3)、性能比較:MXIC旺宏FLASH存儲(chǔ)MX25L供應(yīng)
NOR型Flash的地址線和數(shù)據(jù)線是分開(kāi)的,傳輸效率很高,程序可以在芯片內(nèi)部執(zhí)行,NOR型的讀速度比NAND稍快一些;NAND型Flash寫入速度比NOR型Flash快很多,因?yàn)镹AND讀寫以頁(yè)為基本操作單位。
(4)、容量和成本:
NAND型Flash具有較高的單元密度,容量可以做得比較大,加之其生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,價(jià)格較低;NOR型Flash占據(jù)了容量為1~16MB閃存市場(chǎng)的大部分,而NAND型Flash只是用在8~128MB的產(chǎn)品中,這也說(shuō)明NOR主要用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,NAND適合數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在CompactFlash、PC Cards、MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占的份額最大。MXIC旺宏FLASH芯片MX25V供應(yīng)商
(5)、軟件支持:
NAND型和NOR型Flash在進(jìn)行寫入和擦除時(shí)都需要MTD(Memory Technology Drivers,MTD已集成在Flash芯片內(nèi)部,它是對(duì)Flash進(jìn)行操作的接口。),這是它們的共同特點(diǎn);但在NOR型Flash上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,而在NAND型Flash上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,即內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序MTD。
NOR Flash和NAND FLASH是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NAND FLASH具有“容量大、單位容量成本低”等特點(diǎn)是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。而NOR Flash“讀寫速度快、可靠性高、使用壽命長(zhǎng)”,多用來(lái)存儲(chǔ)少量代碼。
近一兩年的NOR Flash市場(chǎng)得到了飛速增長(zhǎng)。該增速主要得益于汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)、5G和智能手機(jī)及其周邊(如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備)等需求的推動(dòng)。
(1)消費(fèi)電子:智能手機(jī)及周邊設(shè)備也催生了大量需求。例如智能手機(jī)跟可穿戴式設(shè)備的配合跟藍(lán)牙耳機(jī)/智能音響的配合等。這些設(shè)備一方面需要采集用戶的數(shù)據(jù)信息,例如位置信息、心率信息等,另一方面也需要把外界數(shù)據(jù)傳輸給用戶,比如音樂(lè)、視頻與通話等。這些都離不開(kāi)NOR Flash代碼存儲(chǔ)芯片的支撐。到2021年僅TWS耳機(jī)就可為NOR Flash帶來(lái)5.8億美元的市場(chǎng)。
(2)物聯(lián)網(wǎng):伴隨著5G基站的高密度布局,物聯(lián)網(wǎng)對(duì)NOR Flash將是一個(gè)長(zhǎng)期利好。萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的數(shù)據(jù)流源源不斷,人與人之間、人與設(shè)備之間、人與云端服務(wù)器之間、設(shè)備與設(shè)備之間的各種數(shù)據(jù)交互都會(huì)產(chǎn)生海量的IoT節(jié)點(diǎn)且這些節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的設(shè)備都要用到NOR Flash。
(3)車載:小到汽車攝像頭大到高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)都對(duì)NOR Flash有大量需求。到2021年僅在ADAS領(lǐng)域NOR Flash的市場(chǎng)空間就將達(dá)到6.7億美元。
(4)工業(yè)領(lǐng)域:如國(guó)內(nèi)三表市場(chǎng)(外加北方熱表)對(duì)NOR Flash需求上升,其中基于國(guó)內(nèi)最新規(guī)范的IR46智能電表,對(duì)NOR Flash的采購(gòu)量會(huì)很快出現(xiàn)。
(5)5G、通訊設(shè)備:5G基站、微基站催生出了各種各樣的節(jié)點(diǎn)設(shè)備,5G 還加速推動(dòng)了工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、邊緣計(jì)算的發(fā)展,這些應(yīng)用都離不開(kāi)NOR Flash?!拔锫?lián)網(wǎng)+5G”帶動(dòng)的norflash市場(chǎng)空間將在2020年達(dá)到1.2億美元,在2021年達(dá)到2.2億美元。
(6)手機(jī)屏幕:主要體現(xiàn)在TDDI(觸控和顯示驅(qū)動(dòng)集成)對(duì)小容量2Mb/4Mb NOR Flash的采用以及AMOLED對(duì)8Mb-32Mb NOR Flash的需求增加等。
AMOLED需要外掛一顆8Mb(Full HD)或32Mb(QHD)的NOR Flash進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償,而全面屏手機(jī)則傾向于采用TDDI方案,需外掛一顆NOR Flash用于存儲(chǔ)觸控功能所需的分位編碼。MXIC旺宏FLASH芯片MX25V供應(yīng)商