北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營(yíng)：光刻膠
NR77-20000P

正膠PR1-2000A1技術(shù)資料

正膠PR1-2000A1是為曝光波長(zhǎng)為365 或者436納米，可用于晶圓步進(jìn)器、掃描投影對(duì)準(zhǔn)器、近程打印機(jī)和接觸式打印機(jī)等工具。PR1-2000A1可以滿足對(duì)附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時(shí)一般不需要增粘劑，如HMDS。

相對(duì)于其他的光刻膠，PR1-2000A1有如下的一些額外的優(yōu)勢(shì)：

PEB，不需要后烘的步驟；

較高的分別率；

快速顯影；

較強(qiáng)的線寬控制；

蝕刻后去膠效果好；

在室溫下有效期長(zhǎng)達(dá)2年。

NR77-25000P,RD8

 品牌

 產(chǎn)地

 型號(hào)

 厚度

 曝光

 應(yīng)用

 加工

 特性

 Futurrex

 美國(guó)

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

 用于i線曝光的負(fù)膠

 LEDOLED、

     顯示器、

 MEMS、

     封裝、

     生物芯片等

     金屬和介電

     質(zhì)上圖案化，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    組成

    （OLED顯示

     器上的間隔

     區(qū)）凸點(diǎn)、

     互連、空中

     連接微通道

     顯影時(shí)形成光刻膠倒

     梯形結(jié)構(gòu)

     厚度范圍：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h線曝光波長(zhǎng)

     曝光

     對(duì)生產(chǎn)效率的影響：

     金屬和介電質(zhì)圖案化

     時(shí)省去干法刻蝕加工

     不需要雙層膠技術(shù)

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 0.7μm~2.1μm

 粘度增強(qiáng)

 NR9-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR71G-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

  負(fù)膠對(duì)  g、h線波長(zhǎng)的靈敏度

 NR71G-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR71G-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR71G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 粘度增強(qiáng)

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR9G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 品牌

 產(chǎn)地

 型號(hào)

 厚度

 耐熱溫度

 應(yīng)用

 Futurrex

 美國(guó)

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm

含硅光刻膠

為了避免光刻膠線條的倒塌，線寬越小的光刻工藝，就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，光刻膠的厚度已經(jīng)減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對(duì)襯底的刻蝕 [2]  。為此，研發(fā)了含Si的光刻膠，這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料（常被稱作Underlayer），其對(duì)光是不敏感的。曝光顯影后，利用氧等離子體刻蝕，把光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到Underlayer上，在氧等離子體刻蝕條件下，含Si的光刻膠刻蝕速率遠(yuǎn)小于Underlayer，具有較高的刻蝕選擇性 [2]  。含有Si的光刻膠是使用分子結(jié)構(gòu)中有Si的有機(jī)材料合成的，例如硅氧烷，，含Si的樹(shù)脂等