IG非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
什么是IG？它的作用是什么？
IG(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

infineon英飛凌晶閘管可控硅BSM300GB120DLC,IG可控硅

概述；

紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為zui大，這時(shí)可判定IG模塊門極正常。如果有數(shù)字顯示，則門極性能變差，此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測(cè)試結(jié)果為零時(shí)，說明所檢測(cè)的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。

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IG模塊和普通IG的區(qū)別
一樣型號(hào) IG模塊和普通IG的區(qū)別，主要不同在哪里，里面的芯片大小一樣嗎，模塊的發(fā)果上面標(biāo)150A能達(dá)到150A嗎？
IG模塊是幾個(gè)單元的IG綜合在一起，比如3單元的，就等于三個(gè)單管IG，這樣的好處可以節(jié)約空間。一般在10KW以上的設(shè)備基本都是用模塊才可以，而低功率的用單管IG，成本低很多。

常見問題：

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