Outline 結(jié)構(gòu)

infineon英飛凌可控硅FS75R12KE3，可控硅模塊

IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。

IG模塊和普通IG的區(qū)別
一樣型號(hào) IG模塊和普通IG的區(qū)別，主要不同在哪里，里面的芯片大小一樣嗎，模塊的發(fā)果上面標(biāo)150A能達(dá)到150A嗎？
IG模塊是幾個(gè)單元的IG綜合在一起，比如3單元的，就等于三個(gè)單管IG，這樣的好處可以節(jié)約空間。一般在10KW以上的設(shè)備基本都是用模塊才可以，而低功率的用單管IG，成本低很多。

一、逆變器IG模塊檢測
將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔，測試IG模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性，來判斷IG模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除，使用二極管測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數(shù)值為zui大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為zui大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說明IG模塊性能變差，應(yīng)予更換。IG模塊損壞時(shí)，只有擊穿短路情況出現(xiàn)。

英飛凌可控硅，infineon英飛凌可控硅FS75R12KE3

常見問題：

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