Nand Flash閃存和Nor Flash閃存有什么不同:
第一:寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間不同
讀寫(xiě)擦除 NAND FLASH閃存器件以8~32KB的塊進(jìn)行,到執(zhí)行同一寫(xiě)入/擦除的操作時(shí)間為4ms
讀寫(xiě)擦除NOR FLASH閃存器件是以64~128KB的塊進(jìn)行,執(zhí)行同一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s
第二:接口不同
Nand Flash閃存使用較為復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù),并且各個(gè)產(chǎn)品或廠(chǎng)商的方法可能各不相同。
Nor Flash閃存為SRAM接口,擁有足夠的地址引腳用于尋址。
第三:容量成本不同
NAND Flash閃存的單元尺寸大約為NOR Flash閃存器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,因此價(jià)格較低。
NOR Flash閃存單元尺寸較大,生產(chǎn)過(guò)程也較為復(fù)雜,因此價(jià)格較高。
第四:耐用性不同
NAND Flash閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次。
NOR Flash閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。
第五:NOR FLASH隨機(jī)傳bai輸效率比NAND FLASH 高
原理:NORflash帶有SRAM接口du,有足夠的地址引腳來(lái)尋址zhi,可以很容易地存取其內(nèi)dao部的每 一個(gè)字節(jié)。NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠(chǎng)商的方法可能各不相同 。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。
第六:Nand flash比nor flash更加易于使用
原理:可以非常直接地使用基于NOR Flash的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直 接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口,NAND FLASH要復(fù)雜得多。
各種NAND FLASH器件的存取方法因廠(chǎng)家而異。在使用NAND器件時(shí),必須先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。
向NAND FLASH器件寫(xiě) 入信息需要相當(dāng)?shù)募记桑驗(yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞 塊寫(xiě)入,這就意味著在NAND FLASH器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。
第七:升級(jí)
Nor Flash的升級(jí)較為麻煩,因?yàn)椴煌萘康腘or Flash的地址線(xiàn)需求不一樣,所以在更換不同容量的Nor Flash芯片時(shí)不方便。而不同容量的Nand Flash的接口是固定的,所以升級(jí)簡(jiǎn)單。
第八:讀寫(xiě)速度
NOR FLASH閃存的讀速度比NAND FLASH閃存稍快一些。