IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚。

infineon英飛凌可控硅FS75R12KT3

但是目前的風(fēng)電變流器都是690V的，IG的耐壓也就足夠了。 IG和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？
目前學(xué)術(shù)界正在爭論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對IG有什么優(yōu)勢。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對應(yīng)的是IEGT, IEGT也稱為壓裝式IG （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IG系列電力電子器件，通過采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。

英飛凌IG模塊，infineon英飛凌可控硅FS75R12KT3

半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性，因此IG模塊標(biāo)稱電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升IG模塊可利用的電流就會下降，英飛凌IG模塊是按殼溫TC=80℃來標(biāo)稱其zui大允許通過的集電流極電流（IC）。對于西門子 英飛凌NPT-IG 芯片來說，當(dāng)TC≤25℃時，這個電流值通常是一個恒定值，但隨著TC 的增加，這個可利用的電流值下降較快，有些公司是按TC＝25℃的電流值來標(biāo)稱型號，這需用戶特別注意。

infineon英飛凌可控硅FS75R12KT3,可控硅晶閘管

在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極zui大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IG發(fā)熱及至損壞。

常見問題：

問題1。貴公司的優(yōu)勢是什么？

A1。我公司擁有專業(yè)的團(tuán)隊和專業(yè)的生產(chǎn)線。

問題2。我為什么要選擇你們的產(chǎn)品？

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