在電力電子設(shè)備中，選擇IG模塊時，通常是先計算通過IG模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點，考慮到過載、電網(wǎng)波動、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應(yīng)的IG模塊。但嚴(yán)格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計算耗散功率，通過熱阻核算具結(jié)溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過zui高結(jié)溫核標(biāo)可選擇較小的IG模塊通過更大的電流，更加有效地利用IG模塊。

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R7觸發(fā)時是VT1和VT2同時觸發(fā)導(dǎo)通，斷開后VT3和VT4同時導(dǎo)通，再斷開后VT5和VT6同時導(dǎo)通。循環(huán)模擬正弦波輸出。
R8的是ABC連起來做一相記做U，有另外2個ABC連接記做V和W共三相，U的VT1、VT3、VT5和W的VT4、VT6、VT2同時觸發(fā)導(dǎo)通，斷開后V的VT1、VT3、VT5和U的VT4、VT6、VT2同時導(dǎo)通，斷開后V的VT4、VT6、VT2和W的VT1、VT3、VT5同時導(dǎo)通。循環(huán)形成模擬正弦波輸出。

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驅(qū)動不足 驅(qū)動不足也即驅(qū)動電壓偏低，容易使IG管進入放大狀態(tài)，IG管的功耗大幅增加，IG管將迅速燒毀。
igbt模塊的注意事項?
由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IG失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：
1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;
2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

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IG是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。
從功能上來說，IG就是一個電路開關(guān)，優(yōu)點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IG不用機械按鈕，它是由計算機控制的。

常見問題：

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