IG是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。
從功能上來說，IG就是一個電路開關，優(yōu)點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IG不用機械按鈕，它是由計算機控制的。

infineon英飛凌IG模塊BSM15GP60，可控硅模塊

但是目前的風電變流器都是690V的，IG的耐壓也就足夠了。 IG和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？
目前學術界正在爭論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對IG有什么優(yōu)勢。但也有可能隨著技術的發(fā)展，兩者并駕齊驅，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對應的是IEGT, IEGT也稱為壓裝式IG （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達4KV以上的IG系列電力電子器件，通過采取增強注入的結構實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。

紅、黑兩表筆分別測柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數(shù)值都為zui大，這時可判定IG模塊門極正常。如果有數(shù)字顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。

IG可控硅，infineon英飛凌IG模塊BSM15GP60

半導體器件具有溫度敏感性，因此IG模塊標稱電流與溫度的關系比較大。隨著殼溫的上升IG模塊可利用的電流就會下降，英飛凌IG模塊是按殼溫TC=80℃來標稱其zui大允許通過的集電流極電流（IC）。對于西門子 英飛凌NPT-IG 芯片來說，當TC≤25℃時，這個電流值通常是一個恒定值，但隨著TC 的增加，這個可利用的電流值下降較快，有些公司是按TC＝25℃的電流值來標稱型號，這需用戶特別注意。