系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號 new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間,但關(guān)斷時(shí)間隨柵和發(fā)射并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵電壓的增加而降低。



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