強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營(yíng)：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管

PL3369

編輯：LX

PL3369的復(fù)合模式的應(yīng)用使芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。滿載時(shí)芯片工作在PFM模式，隨著負(fù)載降低，芯片會(huì)逐漸進(jìn)入到綠色模式，以提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。

PL3369主要特點(diǎn)：

? 內(nèi)置高壓功率BJT管

? 全電壓范圍內(nèi)高精度恒流/恒壓調(diào)節(jié)

? 去除光耦和次級(jí)控制電路

? 內(nèi)置恒流調(diào)節(jié)的線電壓補(bǔ)償

? 內(nèi)置變壓器電感補(bǔ)償

? 內(nèi)置輸出線補(bǔ)償

? 內(nèi)置可提高效率的自適應(yīng)PFM控制

? 低啟動(dòng)電流

? 內(nèi)置前沿消隱

? 逐周期電流限制

? VDD欠壓/過(guò)壓保護(hù)

? 輸出過(guò)壓保護(hù)

? 輸出短路保護(hù)

? 內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)

PL3369B 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路，系統(tǒng)上電后，當(dāng) VDD 端電壓超過(guò)芯片的閾值電壓時(shí)，芯片開(kāi)始工作并輸出 PWM 信號(hào)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)功率 BJT 管。為了防止 VDD 上升過(guò)程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 17.5V 和 4.5V。

PL3369B 具有低的啟動(dòng)電流，因而可以采用大的啟動(dòng)電阻以及小的 VDD 電容以降低應(yīng)用中的功率損耗。

PL3369B 的工作電流很低，再加上特有的復(fù)合模式控制，從而提高了系統(tǒng)的效率，特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。

PL3115B

PL3115B多種保護(hù)功能集成在芯片內(nèi)部以保護(hù)芯片出現(xiàn)異常狀態(tài)，主要包括：OCP、UVLO、OVP等，系統(tǒng)發(fā)生異常時(shí)，芯片將被保護(hù)，直到系統(tǒng)恢復(fù)正常狀態(tài)。

PL3115B提供SOP7封裝。

PL3115B是款恒流/恒壓原邊控制的高性能離線反激式開(kāi)關(guān)電源，僅需少數(shù)的外部元件，其內(nèi)部集成了包括功率MOSFET以及原邊控制模塊等高壓功率調(diào)節(jié)器。