上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC10,真空鍍膜離子源
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上海伯東美國(guó)-KRI-考夫曼離子源-KDC10,真空鍍膜離子源

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商品參數(shù)
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商品介紹
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品牌 KRI
產(chǎn)地 美國(guó)
型號(hào) KDC10
離子能量范圍 100 至 1200ev
離子電流. 可以超過(guò) 10mA
商品介紹
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上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號(hào)的離子源. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時(shí)離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設(shè)計(jì), 低成本等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用在顯微鏡領(lǐng)域, 標(biāo)準(zhǔn)配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 10mA.
考夫曼離子源 KDC10
 KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)

KDC 10

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

1

 - 陽(yáng)極電壓

0-100V DC

 - 柵極直徑

1cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

 - 架構(gòu)

移動(dòng)或快速法蘭

 - 高度

4.5'

 - 直徑

1.52'

 - 離子束

集中
平行
散設(shè)

 -加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

2-12”

 - 自動(dòng)控制

控制4種氣體


KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應(yīng)用領(lǐng)域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

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上海伯東: 葉小姐                                   臺(tái)灣伯東: 王小姐
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