Intan RHA Chips放大器芯片RHA2216貨號(hào)A6113/K6002

RHA 模擬輸出放大器芯片

微芯片可以以封裝形式 (QFN) 的形式購(gòu)買(mǎi)，用于焊接到印刷電路板上，也可以作為可以引線(xiàn)鍵合的裸硅芯片購(gòu)買(mǎi)。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，建議使用封裝芯片。

Intan RHA Chips放大器芯片RHA2216貨號(hào)A6113/K6002

RHS2116 包含一個(gè)由 16 個(gè)刺激器/放大器塊組成的陣列，通過(guò)數(shù)字 SPI 接口進(jìn)行控制。每個(gè)

刺激器/放大器通道包括兩個(gè)用于感應(yīng)電極電壓的放大器：(1) 一個(gè)交流耦合的高增益放大器，用于

觀察幾個(gè)范圍內(nèi)的小電生理信號(hào)（例如，細(xì)胞外動(dòng)作電位、局部場(chǎng)電位）

微伏到幾毫伏； (2) 直流耦合低增益放大器，用于監(jiān)測(cè)響應(yīng)刺激的電極電位，

在幾十毫伏到幾伏的范圍內(nèi)。高增益放大器以一個(gè)公共的共享引腳 (ref_elec) 為參考，該引腳

可以連接到低阻抗參考電極以減少共模干擾（例如，50/60 Hz 線(xiàn)路噪聲）。這

低增益放大器以地為參考。在許多應(yīng)用中，參考電極也將用作刺激

反（返回）電極并將接地。

每個(gè)通道都有一個(gè)獨(dú)立的刺激器模塊，可以產(chǎn)生幅度變化的雙相恒流脈沖

從 10 納安到 2.55 毫安。這些刺激器能夠在很寬的范圍內(nèi)保持恒定電流輸出

電極電壓，在刺激電壓供應(yīng) VSTIM+ 和 VSTIM– 附近具有順應(yīng)性限制。刺激模塊

自動(dòng)檢測(cè)超出合規(guī)限制的電極電壓并設(shè)置相應(yīng)的寄存器位。

大多數(shù)刺激方案使用電荷平衡脈沖來(lái)避免電極-組織界面處的氧化還原反應(yīng)。

芯片上晶體管特性的變化使得不可能實(shí)現(xiàn)完美的電荷平衡，因此恢復(fù)電路是

包括在刺激脈沖后排出殘余電荷。電荷恢復(fù)開(kāi)關(guān)可用于短暫連接電極

到一個(gè)共同的 stim_GND 引腳，該引腳通常接地。每個(gè)通道中的其他電荷恢復(fù)電路拉動(dòng)電極

朝著具有小、可編程電流的用戶(hù)指定的電位。芯片上還包含一個(gè)全局故障電流檢測(cè)器；

該電路可以插入公共返回電流路徑并用于檢測(cè)任何意外電流。