品牌： 安捷倫

產(chǎn)地： 美國

用途： ICP-MS

加工定制： 是

供貨類型： 現(xiàn)貨

產(chǎn)品展示

商品信息

安捷倫Agilent G3272B 7500cx Series ICP-MS

ICP-MS已被公認(rèn)為痕量金屬元素分析的 首選技術(shù)。當(dāng)今的常規(guī)實(shí)驗(yàn)室要求比 ICP-OES更為靈敏，比石墨爐原子吸收 (GFAAS)更為快速的分析技術(shù)。ICP-MS 可滿足上述兩方面的需求，它具有更寬 的工作范圍，并可同時(shí)測定能生成氫化 物的元素及痕量Hg，同時(shí)還具備半定量 及同位素比分析能力。ICP-MS又可作為 一種極為理想的多功能的檢測器，與色 譜和激光技術(shù)聯(lián)用。 安捷倫新的7500系列具有完全自動(dòng)化的 易于使用、靈活性、可靠性以及優(yōu)秀的 設(shè)計(jì)，它提供了最高水平的分析性能。 新的7500系列可配備第二代八級(jí)桿反應(yīng) 池(ORS)技術(shù)，提供多種選擇的進(jìn)樣附件、 最好的應(yīng)用與維修服務(wù)支持，它正在引 領(lǐng)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)入ICP-MS時(shí)代。 安捷倫新的7500系列包括兩種不同的型 號(hào)，可滿足不同的應(yīng)用需求和經(jīng)費(fèi)預(yù)算。

 

ICP-MS全稱電感耦合等離子體質(zhì)譜（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry），可分析幾乎地球上所有元素（Li-U）

ICP-MS技術(shù)是80年代發(fā)展起來的新的分析測試技術(shù)。它以將ICP的高溫（8000K）電離特性與四極桿質(zhì)譜計(jì)的靈敏快速掃描的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合而形成一種新型的最強(qiáng)有力的元素分析、同位素分析和形態(tài)分析技術(shù)。

該技術(shù)提供了極低的檢出限、極寬的動(dòng)態(tài)線性范圍、譜線簡單、干擾少、分析精密度高、分析速度快以及可提供同位素信息等分析特性。

自1984年第一臺(tái)商品儀器問世以來，這項(xiàng)技術(shù)已從最初在地質(zhì)科學(xué)研究的應(yīng)用迅速發(fā)展到廣泛應(yīng)用于環(huán)境保護(hù)、半導(dǎo)體、生物、醫(yī)學(xué)、冶金、石油、核材料分析等領(lǐng)域。

被稱為當(dāng)代分析技術(shù)最激動(dòng)人心的發(fā)展。

 

ICP離子源中的物質(zhì)

1) 已電離的待測元素：As+, Pb +, Hg +, Cd +, Cu +, Zn +, Fe +, Ca +, K +, ?????? 

2） 主體：Ar原子(>99.99％)

3） 未電離的樣品基體：Cl, NaCl(H2O)_n, SO_n, PO_n, CaO, Ca(OH)_n, FeO, Fe(OH)_n,??????這些成分會(huì)沉積在采樣錐、截取錐、第一級(jí)提透鏡、第二級(jí)提取透鏡（以上部件在真空腔外） 、聚焦透鏡、W偏轉(zhuǎn)透鏡、偏置透鏡、預(yù)四極桿、四極桿、檢測器上（按先后順序依次減少），是實(shí)際樣品分析時(shí)使儀器不穩(wěn)定的主要因素，也是儀器污染的主要因素；

4） 已電離的樣品基體：ArO⁺, Ar⁺, ArH⁺, ArC⁺, ArCl⁺, ArAr⁺,（Ar基分子離子） CaO⁺, CaOH⁺, SOn⁺, POn⁺, NOH⁺, ClO⁺??????（ 樣品基體產(chǎn)生），這些成分因?yàn)榉肿恿颗c待測元素如Fe, Ca, K, Cr, As, Se, P, V, Zn, Cu等的原子量相同，是測定這些元素的主要干擾；       

        特別需要注意的是，1ppt濃度的樣品元素在0.4mL/min（Babinton霧化器，0.1rps）速度進(jìn)樣時(shí)，相當(dāng)于每秒進(jìn)入儀器>10,000,000個(gè)原子；而在檢測器得到的離子數(shù)在10－1000之間，即>99.99%的樣品及其基體停留在儀器內(nèi)部或被排廢消除；因此，加大進(jìn)樣量提高靈敏度的后果是同時(shí)加大儀器受污染速度。

等離子體能量越高à電離效率越高

許多元素的電離度主要取決于等離子體的溫度，若等離子體的能量不夠高，

基體水平的變化就會(huì)引起輕微的溫度變化，從而嚴(yán)重影響靈敏度。

 

		plasma temperature
Element	Ip (eV)	5000 K	6000 K	7000 K	8000 K
Cs	3.89	99.4%	99.9%	100.0%	100.0%
Na	5.14	90.0%	98.9%	99.8%	99.9%
Ba	5.21	88.4%	98.7%	99.8%	99.9%
Li	5.39	83.4%	98.2%	99.7%	99.9%
Sr	5.69	71.5%	96.8%	99.5%	99.9%
Al	5.98	56.2%	94.5%	99.1%	99.8%
Pb	7.42	4.3%	51.2%	91.1%	98.3%
Mg	7.64	2.6%	40.7%	87.7%	97.7%
Co	7.86	1.6%	31.0%	83.2%	96.9%
Sb	8.64	0.3%	9.0%	57.6%	90.9%
Cd	8.99	0.1%	4.8%	43.2%	85.7%
Be	9.32	0.1%	2.6%	30.6%	78.8%
Se	9.75	0.0%	1.1%	17.8%	66.6%
As	9.81	0.0%	1.0%	16.4%	64.6%
Hg	10.43	0.0%	0.3%	6.5%	42.6%

 

氧化物干擾比例比較表 －CeO/Ce成為表征

 

 

影響儀器檢測能力的因素

真空的測量（一）

1、Pirani Gauges熱偶規(guī)

   通過監(jiān)測熱絲溫度的變化間接測定真空壓力。適用于                                         1x10^-2~1x10³pa的中等真空范圍。在7500中用于IF/BK的真空測定

 

真空的測量（二）

2、Penning Gauges冷陰極規(guī)

   由圓筒形不銹鋼陰極及位于圓筒軸心的環(huán)狀或針狀陽極構(gòu)成。利用低壓氣體分子的電離電流與壓力有關(guān)的特性，通過檢測放電電流大小來測定真空壓力。多用于10^-8~10^-2Pa 的高真空測定。在7500中用于Analyzer 的真空壓力測定

環(huán)境污染與實(shí)驗(yàn)室工作條件

實(shí)驗(yàn)步驟的優(yōu)化設(shè)計(jì)

 

試劑污染因素

購買適合測定要求的高純?cè)噭?/span>

分子離子的干擾因素

優(yōu)化樣品引入系統(tǒng), 干擾校正方法, 屏蔽炬, 冷等離子體技術(shù), 碰撞池或反應(yīng)池

記憶效應(yīng)

優(yōu)化樣品引入系統(tǒng), 加長沖洗時(shí)間, 操作人員的素質(zhì)

接口效應(yīng)，基體效應(yīng)

選擇信號(hào)強(qiáng)度隨著基體元素的基體效應(yīng)、接口效應(yīng)而與待測元素信號(hào)強(qiáng)度同時(shí)增強(qiáng)或降低的內(nèi)標(biāo)進(jìn)行校正

隨機(jī)背景

四極桿、離子透鏡、真空系統(tǒng)等的優(yōu)化組合設(shè)計(jì)