N-芐基-N'-[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺鹽酸鹽

英文名稱： N-benzyl-N'-[3-(trimethoxysilyl)propyl]ethylenediamine monohydrochloride

英文別名： 1,2-Ethanediamine, N1-(phenylmethyl)-N2-(3-(trimethoxysilyl)propyl)-, hydrochloride (1:1); 1,2-Ethanediamine, N-(phenylmethyl)-N'-(3-(trimethoxysilyl)propyl)-, monohydrochloride; N-Benzyl-N'-(3-(trimethoxysilyl)propyl)ethylenediamine monohydrochloride; N-benzyl-N'-[3-(trimethoxysilyl)propyl]ethane-1,2-diamine hydrochloride (1:1)

CAS號(hào)： 42965-91-3

EINECS號(hào)： 256-023-3

分子式： C15H29ClN2O3Si

分子量： 348.9409

InChI： InChI=1/C15H28N2O3Si.ClH/c1-18-21(19-2,20-3)13-7-10-16-11-12-17-14-15-8-5-4-6-9-15;/h4-6,8-9,16-17H,7,10-14H2,1-3H3;1H

硅烷的又一應(yīng)用是非晶半導(dǎo)體非晶硅。與單晶半導(dǎo)體材料相比非晶硅的特點(diǎn)是容易形成極薄的(厚度10nm左右)大面積器件，襯底可以是玻璃、不銹鋼、甚至塑料，表面可以是平面也可是曲面，因此可以制成各種性能優(yōu)異的器件。

硅烷已成為半導(dǎo)體微電子工藝中使用的最主要的特種氣體, 用于各種微電子薄膜制備, 包括單晶膜、微晶、多晶、氧化硅、氮化硅、金屬硅化物等。硅烷的微電子應(yīng)用還在向縱深發(fā)展: 低溫外延、選擇外延、異質(zhì)外延。不僅用于硅器件和硅集成電路，也用于化合物半導(dǎo)體器件（砷化鎵、碳化硅等）。在超晶格量子阱材料制備中也有應(yīng)用?？梢哉f現(xiàn)代幾乎所有先進(jìn)的集成電路的生產(chǎn)線都需用到硅烷。硅烷的純度對(duì)器件性能和成品率關(guān)系極大，更高級(jí)的器件需要更高純度的硅烷(包括乙硅烷、丙硅烷)。

硅烷作為含硅薄膜和涂層的應(yīng)用已從傳統(tǒng)的微電子產(chǎn)業(yè)擴(kuò)展到鋼鐵、機(jī)械、化工和光學(xué)等各個(gè)領(lǐng)域。含硅涂層可使普通鋼的高溫耐氧化能力提高到10萬倍以上,也可使其它金屬的高溫化學(xué)穩(wěn)定性大大改善，使內(nèi)燃機(jī)葉片的耐蝕性明顯增強(qiáng)，使各種材料和零件之間的粘結(jié)強(qiáng)度大幅度提高，使汽車發(fā)動(dòng)機(jī)零件的壽命延長(zhǎng)，也可改變玻璃的反射和透射性能，從而得到顯著的節(jié)能和裝飾效果。在浮法玻璃生產(chǎn)過程中用硅烷在玻璃表面涂敷一層反光層其粘附力極強(qiáng)在長(zhǎng)期陽光照射下不褪色, 透光率只有普通玻璃的1/3; 用氮化硅涂敷的大面積多晶硅電池（BSNSC) 已達(dá)到15.7%的高效率。用硅烷氣相沉積技術(shù)制造各種含硅薄膜在高技術(shù)中的應(yīng)用還在與日俱增。

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