近紅外光刻膠 干膜光刻膠生產(chǎn)廠 Futurrex 近紅外光刻膠生產(chǎn)廠
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縱橫比 4.5
報價方式 按實際訂單報價為準
光刻膠型號 NR5-8000
膜厚 54μm
掩模尺寸 12μm
曝光能量 1100 mJ/cm22
聚焦補償 -15μm
耐溫 150度
產(chǎn)品編號 9141274
商品介紹
北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營:光刻膠




微流控芯片硅片模具加工如何擇光刻膠呢?

賽米萊德專業(yè)生產(chǎn)、銷售光刻膠,我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠,正性光刻膠比負性的精度要高,負膠顯影后圖形有漲縮,負性膠限制在2~3μm.,而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導致影響精度,正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率,但是薄負性膠會影響。同種厚度的正負膠,在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌,正膠難以企及。汶顥科技提供AZ、SU_8、及其他系類光刻膠的供應與技術(shù)參數(shù)。



光刻膠的組成部分

光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質(zhì)、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分,構(gòu)成光刻膠的基本骨架,主要決定曝光后光刻膠的基本性能,包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩(wěn)定性等。光活性物質(zhì)是光刻膠的關(guān)鍵組分,對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。

分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展,芯片制造特征尺寸越來越小,對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要,光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發(fā)展。

想要了解更多光刻膠的相關(guān)內(nèi)容,請及時關(guān)注賽米萊德網(wǎng)站。



光刻膠的組成

光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質(zhì)、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分,構(gòu)成光刻膠的基本骨架,主要決定曝光后光刻膠的基本性能,包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩(wěn)定性等。光活性物質(zhì)是光刻膠的關(guān)鍵組分,對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。

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